MJD32C TRANSISTOR

8.86 

MJD32C é um transístor bipolar PNP de potência (não é um MOSFET), frequentemente utilizado em fontes de alimentação, controlo de cargas e amplificação de potência.

Características principais
Tipo: PNP
Tensão coletor-emissor (VCEO): 100 V
Corrente contínua do coletor (IC): 3 A
Corrente de pico (ICM): 5 A
Encapsulamento: TO-252 / DPAK
Ganho de corrente (hFE): tipicamente ≥ 25
Pinagem (TO-252 / DPAK)

Vista de frente, com a inscrição voltada para si:

Base (B)
Coletor (C) – também ligado à aba metálica
Emissor (E)
Complementar

O transístor complementar NPN é o MJD31C, frequentemente usado em pares de potência.

Diferença para o IRFR6215
IRFR6215 → MOSFET canal P.
MJD32C → Transístor bipolar PNP (BJT).

REF: 43011 Categorias: ,

Descrição

MJD32C é um transístor bipolar PNP de potência (não é um MOSFET), frequentemente utilizado em fontes de alimentação, controlo de cargas e amplificação de potência.

Características principais
Tipo: PNP
Tensão coletor-emissor (VCEO): 100 V
Corrente contínua do coletor (IC): 3 A
Corrente de pico (ICM): 5 A
Encapsulamento: TO-252 / DPAK
Ganho de corrente (hFE): tipicamente ≥ 25
Pinagem (TO-252 / DPAK)

Vista de frente, com a inscrição voltada para si:

Base (B)
Coletor (C) – também ligado à aba metálica
Emissor (E)
Complementar

O transístor complementar NPN é o MJD31C, frequentemente usado em pares de potência.

Diferença para o IRFR6215
IRFR6215 → MOSFET canal P.
MJD32C → Transístor bipolar PNP (BJT).