Descrição
K28EES5 não corresponde a um transístor bipolar comum. Trata-se da marcação de um IGBT Infineon IKP28N65ES5, um dispositivo de potência usado em inversores, soldadores, UPS, carregadores e fontes comutadas.
Especificações principais
Tipo: IGBT N-Channel com díodo antiparalelo integrado
Tensão coletor-emissor (VCE): 650 V
Corrente nominal (IC): 28 A
Tensão de saturação típica (VCE(sat)): 1,5 V
Temperatura máxima de junção: 175 °C
Encapsulamento: TO-220 (PG-TO220-3)
Pinagem
Vista de frente, com a inscrição voltada para si:
Gate (G)
Collector (C) – também ligado à aba metálica
Emitter (E)
Resumo
Não é um MOSFET.
Não é um transístor BJT (NPN/PNP).
É um IGBT de potência de 650 V / 28 A
