ME60N03A TRANSISTOR

10.28 

ME60N03 Tipo de Transistor: MOSFET Tipo de Canal de Controlo: Canal N Dissipação Máxima de Potência Pd: 50 W |Vds| Tensão Máxima Dreno-Fonte: 30 V |Vgs Tensão Máxima de Porta-Fonte: 20 V |Vgs(th) Tensão Máxima de Limiar de Porta: 3 V |Id| Corrente Máxima de Dreno: 50 A Tj Temperatura Máxima da Junção: 150 °C Qg Carga Total de Porta: 22 nC tr Tempo de Subida: 10 nS Coss Capacitância de Saída: 240 pF Rds Resistência Máxima Dreno-Fonte no Estado Ligado: 0,0085 Ohm Encapsulamento: TO252

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Descrição

ME60N03 Tipo de Transistor: MOSFET Tipo de Canal de Controlo: Canal N Dissipação Máxima de Potência Pd: 50 W |Vds| Tensão Máxima Dreno-Fonte: 30 V |Vgs Tensão Máxima de Porta-Fonte: 20 V |Vgs(th) Tensão Máxima de Limiar de Porta: 3 V |Id| Corrente Máxima de Dreno: 50 A Tj Temperatura Máxima da Junção: 150 °C Qg Carga Total de Porta: 22 nC tr Tempo de Subida: 10 nS Coss Capacitância de Saída: 240 pF Rds Resistência Máxima Dreno-Fonte no Estado Ligado: 0,0085 Ohm Encapsulamento: TO252

Informação adicional

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