IXGR48N60C3D1-0

IXGR48N60C3D1 TRANSISTOR

13.47 €

IXGR48N60C3D1 Tipo: IGBT + Diodo Antiparalelo Tipo de Canal IGBT: N Dissipação Máxima de Potência do PC: 125 W |Vce Tensão Máxima Coletor-Emissor: 600 V |Vge| Tensão Máxima Porta-Emissor: 20 V |Ic| Corrente Máxima do Coletor: 56 A a 25 ℃ |VCEsat| Tensão de Saturação Coletor-Emissor, típica: 2,3 V a 25 ℃ |VGEth| Tensão Máxima de Limiar G-E: 5,5 V Tj Temperatura Máxima da Junção: 150 ℃ tr Tempo de Subida, típico: 26 nS Coes Capacitância de Saída, típica: 220 pF Qg Carga Total da Porta, típica: 77 nC Embalagem: ISOPLUS24

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Descrição

IXGR48N60C3D1 Tipo: IGBT + Diodo Antiparalelo Tipo de Canal IGBT: N Dissipação Máxima de Potência do PC: 125 W |Vce Tensão Máxima Coletor-Emissor: 600 V |Vge| Tensão Máxima Porta-Emissor: 20 V |Ic| Corrente Máxima do Coletor: 56 A a 25 ℃ |VCEsat| Tensão de Saturação Coletor-Emissor, típica: 2,3 V a 25 ℃ |VGEth| Tensão Máxima de Limiar G-E: 5,5 V Tj Temperatura Máxima da Junção: 150 ℃ tr Tempo de Subida, típico: 26 nS Coes Capacitância de Saída, típica: 220 pF Qg Carga Total da Porta, típica: 77 nC Embalagem: ISOPLUS247

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