IPD65R600E TRANSISTOR
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Aqui está um resumo do MOSFET IPD65R600E / IPD65R600E6 da Infineon (CoolMOS E6), além de forças, limitações e o que verificar ao substituir ou utilizá-lo.Especificações principaisParâmetro ValorDispositivo MOSFET N‑channel
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Aqui está um resumo do MOSFET IPD65R600E / IPD65R600E6 da Infineon (CoolMOS E6), além de forças, limitações e o que verificar ao substituir ou utilizá-lo.Especificações principaisParâmetro ValorDispositivo MOSFET N‑channel (superjunction, “CoolMOS E6”)Tensão Dreno‑Fonte, V<sub>DSS</sub> 650 VCorrente Dreno Contínua (à temperatura do case ~25‑°C) 7.3 AResistência em Ligação, R<sub>DS(on)</sub> (Máx, a V<sub>GS</sub>=10 V) 0.60 Ω @ ~2.1 ATensão de Limiar do Gate (V<sub>GS(th)</sub>) Até ~ 3.5 V medida com corrente de gate pequena (~210 µA)Carga do Gate, Q<sub>G</sub> (Máx) ~ 23 nC a V<sub>GS</sub>=10 VCapacitância de Entrada, C<sub>iss</sub> ~ 440 pF (@ V<sub>DS</sub> = 100 V)Dissipação de Potência (no case) ~ 63 WIntervalo de Temperatura de Operação –55 °C a +150 °C (junção) avaq.com +1 Pacote / Montagem Montagem Superficial, TO‑252‑3 / DPAK (também “PG‑TO252‑3”) avaq.com +2 hotenda.com +2 Tensão Gate‑Fonte Máx ±20 V estática avaq.com +2 hotenda.com +2 Forças / Bons Usos Alta tensão de bloqueio (650 V) torna-o adequado para interruptores de alta tensão, SMPS offline, conversores flyback ou boost, etc. A série “E6” (CoolMOS E6) é relativamente moderna: concebida para uma melhoria do compromisso entre perdas de condução e comportamento de comutação (especialmente carga de porta, capacitâncias, etc.). infineon.com +1 O pacote (TO‑252 / DPAK) permite uma montagem compacta e uma dissipação térmica razoável se for projetado corretamente.
