Descrição
✅ Especificações principais
Tipo: IGBT de canal N, “4ª geração” para aplicações de comutação de inversores por ressonância de corrente
Tensão de colector-emissor (V_CES): 600 V.
Corrente de colector em DC (a T_C = 25 °C): aproximadamente 37 A.
VCE(sat) típico: ~ 1,9 V (em IC ~ 50 A).
Tempo de desligamento típico: tf ~ 0,19 µs.
Pacote: TO-3P(N)IS (montagem robusta em flange, se bem que verifique-se exactamente a montagem).
🧩 Aplicações típicas
Inversores de potência industriais onde se requer tensão ~600 V e correntes tensas (ex: drives de motor, fontes industriais).
Projetos de convesão AC↔DC↔AC onde se use topologia de comutação rápida/resonante.
Ideal para aplicações de potência robusta em que o dispositivo possa ser bem dissipado (pacote TO-3P ajuda) e montado correctamente.
⚠️ Cuidados e considerações
Verificar se o pacote e pin-out são compatíveis com o que tens na placa: TO-3P pode exigir fixação a dissipador e boa interface térmica.
Considerar que, mesmo que as especificações permitam “~37 A” em DC, isso assume condições térmicas ideais, boa dissipação, e pode variar com a frequência de comutação, temperatura, etc.
Estado “NRND” significa que pode ser difícil obter stock ou haver prazo de vida limitado — prever possibilidade de substituição.
Para circuitos de comutação rápida: tens de considerar margens de segurança para Eon/Eoff, perdas de comutação, layout de placas, indutâncias parasitas, protecção contra sobretensão. O VCE(sat) e tf são bons, mas dependem de condições.
Verificar se tens diodo de recuperação interna ou se precisas de externo — este IGBT inclui FRD entre emissor e colector.
