Descrição
Transistor IXGR40N60C201= IXGR40N60C2D1
IXGR40N60C2D1 Tipo: IGBT + Diodo Antiparalelo Tipo de Canal IGBT: N Dissipação Máxima da Potência do PC: 170 W |Vce| Tensão Máxima Coletor-Emissor: 600 V |Vge| Tensão Máxima Porta-Emissor: 20 V |Ic| Corrente Máxima de Coletor: 56 A a 25 ℃ |VCEsat| Tensão de Saturação Coletor-Emissor, típica: 2,2 V a 25 ℃ |VGEth| Tensão Máxima de Limiar G-E: 5 V Temperatura Máxima de Junção Tj: 150 ℃ Tempo de Subida tr, típico: 20 nS Capacitância de Saída Coes, típica: 180 pF Carga Total de Porta Qg, típica: 95 nC Embalagem: ISOPLUS247
