Descrição
📌 Descrição
O FDS9945 é um MOSFET de potência de canal N, de montagem em superfície, projetado para comutação rápida e com baixa resistência de condução (R<sub>DS(on)</sub>), tornando-o ideal para aplicações em conversores DC-DC, controlo de carga, e sistemas portáteis alimentados por bateria. Tem dois MOSFETs independentes num só encapsulamento, o que permite otimizar espaço e eficiência.
⚙️ Características principais:
Tipo: MOSFET de canal N duplo (2 MOSFETs independentes no mesmo encapsulamento)
Tensão de dreno-fonte (V<sub>DS</sub>):
30 V
Corrente de dreno contínua (I<sub>D</sub>):
Até 5,8 A por canal (com dissipação térmica adequada)
Resistência de condução (R<sub>DS(on)</sub>):
Típica de < 0,035 Ω a V<sub>GS</sub> = 4,5 V
Tensão de gate-fonte (V<sub>GS</sub>):
±20 V (máx.)
Baixa carga de gate (Q<sub>g</sub>):
Permite comutação eficiente a alta frequência
Encapsulamento:
SO-8 (SMD, ideal para designs compactos)
Isolamento entre canais:
Totalmente independentes, partilham apenas o encapsulamento físico
🧭 Aplicações típicas:
Conversores DC-DC (buck, boost, síncronos)
Controlo de motores pequenos
Chaveamento de cargas resistivas e indutivas
Equipamentos portáteis alimentados por bateria (smartphones, tablets, etc.)
Sistemas de energia em motherboards, placas gráficas, FPGAs, etc.
Controlo de LEDs e circuitos de backlight
