Descrição
IRFI630 — Transístor MOSFET de potência
Tipo: MOSFET de canal N.
Fabricante: International Rectifier / Vishay.
Aplicação: fontes de alimentação comutadas, televisores, conversores e circuitos de alta tensão
Características técnicas
Parâmetro Valor
Tensão máxima dreno-fonte (VDS) 200 V
Corrente contínua máxima (ID) 5,9 A
Resistência em condução (RDS(on)) 0,4 Ω
Dissipação máxima 35 W
Tensão máxima gate-fonte (VGS) ±20 V
Encapsulamento TO-220 Full-Pak, aba isolada
Equivalentes possíveis
– IRFI630G — variante da mesma família; confirme as especificações da versão.
– IRFI630GPBF — versão sem chumbo, disponível comercialmente.
– IRF630 — alternativa a avaliar, mas tem encapsulamento diferente e a aba metálica não é isola
