Descrição
IRFBC40 — Transístor MOSFET de potência
Tipo: MOSFET de canal N.
Fabricante: Vishay / Siliconix.
Aplicação: fontes de alimentação comutadas, conversores e circuitos de comutação de alta tensão.
Características técnicas
Parâmetro Valor
Tensão máxima dreno-fonte 600 V
Corrente contínua máxima 6,2 A
Resistência RDS(on) máxima 1,2 Ω
Dissipação máxima 125 W
Tensão máxima gate-fonte ±20 V
Encapsulamento TO-220AB
Temperatura de funcionamento −55 °C a +150 °C
Equivalentes possíveis
– IRFBC40PBF — versão sem chumbo, com encapsulamento TO-220AB.
– STP6N60M2 — alternativa a avaliar, com características elétricas e de comutação a confirmar.
– IRFBC40AS — variante de montagem em superfície, em encapsulamento D2PAK; não é mecanicamente equivalente ao TO-220AB.
