Descrição
IRG4PC40KD é um IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de canal N da International Rectifier (atualmente Infineon), com um díodo ultrarrápido (HEXFRED) integrado, concebido para aplicações de potência de alta frequência.
Características principais
Tipo: IGBT de canal N com díodo de recuperação ultrarrápida integrado
Tensão coletor-emissor (VCES): 600 V
Corrente contínua do coletor (IC): 42 A (a 25 °C)
Corrente contínua (100 °C): 25 A
Corrente pulsada: 84 A
Tensão Gate-Emitter (VGE): ±20 V
Tensão de saturação VCE(sat): ≈2,1 V (típica)
Encapsulamento: TO-247AC
Potência dissipada: 160 W
Aplicações
É utilizado em:
Inversores industriais.
Soldadores por inversor.
Variadores de velocidade para motores.
UPS (fontes de alimentação ininterrupta).
Fontes de alimentação comutadas de elevada potência.
Equipamentos de indução e conversão de energia.
Equivalentes
Podem ser utilizados como substitutos, desde que sejam compatíveis em pinagem, encapsulamento e características elétricas:
IRG4PC40KDPBF (versão sem chumbo)
IRG4PC40KPBF
FGH40N60SFD
HGTG40N60A4D
IKW40N60H3
