Descrição
SGT60N60NPFDPN é um IGBT de potência (N-Channel Field Stop) com díodo de recuperação rápida (Fast Recovery Diode) integrado, fabricado pela Silan Microelectronics. É indicado para aplicações de elevada eficiência em conversão de potência.
Características principais
Tipo: IGBT Field Stop de canal N com díodo rápido integrado
Tensão coletor-emissor (VCES): 600 V
Corrente contínua do coletor (IC): 60 A (a 100 °C)
Corrente máxima (IC): até 120 A (a 25 °C)
Tensão Gate-Emitter (VGE): ±20 V
Tensão de saturação VCE(sat): cerca de 2,2 V (típica a 60 A)
Encapsulamento: TO-3P
Temperatura máxima da junção: 175 °C.
Aplicações
É utilizado em:
Fontes de alimentação comutadas (SMPS).
Fontes com correção do fator de potência (PFC).
UPS (fontes de alimentação ininterrupta).
Aquecimento por indução.
Inversores e conversores de potência.
Equivalentes
Podem ser utilizados substitutos com características semelhantes, desde que sejam compatíveis em encapsulamento, pinagem e desempenho elétrico, por exemplo:
IRG4PC50UD
FGH60N60SFD
IKW60N60H3
HGTG60N60A4D
