FDD7N25LZ TRANSISTOR

6.03 €

Aqui está um resumo e análise das especificações completas do MOSFET FDD7N25LZ (FDD7N25LZTM), além de pontos fortes, limitações e coisas a ter em conta se quiser usá-lo ou substituí-lo.Especificações PrincipaisParâmetro Valor Condições / NotasTipo MOSFET de Canal N, “UniFET” (ON Semiconductor / Fairchild)

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Aqui está um resumo e análise das especificações completas do MOSFET FDD7N25LZ (FDD7N25LZTM), além de pontos fortes, limitações e coisas a ter em conta se quiser usá-lo ou substituí-lo.Especificações PrincipaisParâmetro Valor Condições / NotasTipo MOSFET de Canal N, “UniFET” (ON Semiconductor / Fairchild)Tensão Dreno-Fonte (V<sub>DSS</sub>) 250 Corrente Máxima de Dreno (I<sub>D</sub>) 6,2 A (no caso, boa refrigeração)Resistência de Ligação (R<sub>DS(on)</sub>) ≈ 0,550 Ω @ V<sub>GS</sub> = 10 V; típico é ~ 0,43 Ω @ mesma tensão de porta em corrente mais leve.Tensão de Limiar da Porta (V<sub>GS(th)</sub>) ~ 2,5 VTensão Máxima Porta-Fonte ±20 VCarga da Porta (Q<sub>G</sub>) ~ 12-16 nC @ V<sub>GS</sub> = 10 VCapacitância de Entrada (C<sub>iss</sub>) ~ 635 pF (quando V<sub>DS</sub> é pequena, por exemplo, 25 V)Dissipação de Potência 56 W (quando montado corretamente, bom caminho térmico, classificação de temperatura do case) Faixa de Temperatura de Operação ‑55 °C a +150 °C Micros +1 Pacote TO‑252‑3 / DPAK (montagem em superfície, com …

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