Descrição
Transistores bipolares de junção – BJT
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Through Hole
Caixa SOT-32-3
Polaridade do transistor: NPN
Configuração: Single
Corrente do coletor DC máxima: 500 mA
Coletor – VCEO máx. de voltagem do emissor: 450 V
Emissor – VEBO de tensão de base: 5 V
Tensão de saturação do coletor – emissor: 1 V
Pd – Dissipação de potência: 40 W
Produto fT da largura de banda de ganho: 20 MHz
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Série: BUX87
Embalagem: Tube
Marca: STMicroelectronics
Tensão do coletor contínua: 500 mA
Tipo de Produto: BJTs – Bipolar Transistors
