Descrição
Transistores bipolares de junção – BJT
Tecnologia: Si
Polaridade do transistor: PNP
Configuração: Single
Corrente do coletor DC máxima: 1 A
Coletor – VCEO máx. de voltagem do emissor: 60 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 60 V
Emissor – VEBO de tensão de base: 5 V
Pd – Dissipação de potência: 2 W
Produto fT da largura de banda de ganho: 3 MHz
Temperatura operacional mínima: – 65 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Marca: Shindengen
Coletor DC/Ganho base hfe Min: 40 at 200 mA, 4 V
Tipo de Produto: BJTs – Bipolar Transistors
