Descrição
RJP30E2 é um transístor de potência do tipo IGBT Tipo: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
Função: comutação de alta potência
Fabricante: Renesas Electronics (linha antiga da Hitachi)
⚡ Características típicas
Tensão coletor-emissor: ~600V
Corrente: ~20–30A
Alta velocidade de comutação
Baixa perda em aplicações de potência
📦 Encapsulamento
Geralmente TO-220 (3 pinos + aba metálica)
🔌 Onde é usado
Fontes de alimentação comutadas (SMPS)
Inversores
TVs CRT (especialmente na fonte ou deflexão horizontal)
Equipamento industrial
