STD14NM50 TRANSISTOR

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STD14NM50Aqui estão as informações que encontrei sobre o MOSFET STD14NM50N / STD14NM50 (versão AG, etc.) da STMicroelectronics:O que éÉ um MOSFET de potência N‑channel utilizando a tecnologia MDmesh II da ST.Projetado para aplicações de comutação em alta tensão (500 V)

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STD14NM50Aqui estão as informações que encontrei sobre o MOSFET STD14NM50N / STD14NM50 (versão AG, etc.) da STMicroelectronics:O que éÉ um MOSFET de potência N‑channel utilizando a tecnologia MDmesh II da ST.Projetado para aplicações de comutação em alta tensão (500 V).Especificações principaisParâmetro ValorTensão Drenagem-Fonte (VDS) 500 VCorrente de drenagem contínua (em Tc) 12 ARDS(on) típico / máximo ~ 0.28 Ω a 10 V de acionamento do gate (para STD14NM50NAG em DPAK)Tensão Gate‑Fonte (VGS) ±25 V máximoTensão de limiar do gate (VGS(th)) ~2 V (aproximadamente)Dissipação de energia (máxima, caso / embalagem) ~ 90 W (TC, para DPAK / TO‑252)Temperatura de junção em funcionamento ‑55 °C a +150 °CParâmetros de comutação / temporização Tempo de subida ~16‑22 ns, Carga do gate ~27 nC mouser.sg +2 tienda.ityt.com.ar +2 Recursos / Destaques 100% testado para avalanche (ou seja, pode lidar com energia de avalanche de forma segura)Qualificado para aplicações automotivas (AEC‑Q101) em algumas variantes (sufixo AG) Baixa capacidade de entrada e carga de porta em relação a muitos MOSFETs de alta tensão mais antigos, ajudando a reduzir as perdas de comutação.

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