P1825HDB-0

P1825HDB IC

7.26 €

  • Tipo: MOSFET de canal N do modo enhancementTensão drenador‑fonte (V_DSS): 250 V Corrente de dreno contínua (I_D): 18 A Resistência de condução (R_DS(on)): 0,23 Ω (230 mΩ) Potência máxima dissipada (P_D): 74 W (sob condições ideais, casa a 25 °C) Tensão porta‑fonte máxima: ±20 V (limite para V_GS)Tensão de limiar da porta (V_GS(th)): ~ 3 V Tempo de subida (rise time, t_r): ~ 101 ns Capacitância dreno‑fonte (C_ds) / capacitância de saída (Cd): ~ 115 pF Encapsulamento: TO‑252 (também chamado DPAK / pacote de montagem superficial)Fabricante / marca associada: Niko / NIKO Semiconductor / Wuxi U‑NIKC

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Descrição

P1825HDB:

🔍 Especificações / Características

  • Tipo: MOSFET de canal N do modo enhancementTensão drenador‑fonte (V_DSS): 250 V Corrente de dreno contínua (I_D): 18 A Resistência de condução (R_DS(on)): 0,23 Ω (230 mΩ) Potência máxima dissipada (P_D): 74 W (sob condições ideais, casa a 25 °C) Tensão porta‑fonte máxima: ±20 V (limite para V_GS)Tensão de limiar da porta (V_GS(th)): ~ 3 V Tempo de subida (rise time, t_r): ~ 101 ns Capacitância dreno‑fonte (C_ds) / capacitância de saída (Cd): ~ 115 pF Encapsulamento: TO‑252 (também chamado DPAK / pacote de montagem superficial)Fabricante / marca associada: Niko / NIKO Semiconductor / Wuxi U‑NIKC

Informação adicional

Peso0.6 g

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