OSG65R360DE TRANSISTOR

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OSG65R360DEAqui estão as especificações e detalhes para o MOSFET OSG65R360DE / OSG65R360DEF da Oriental Semiconductor, juntamente com notas de utilização. Se desejar, também posso encontrar equivalentes ou substitutos.Especificações e Características PrincipaisA partir da ficha técnica e listas de produtos:Parâmetro ValorDispositivo MOSFET de potência N‑canal

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OSG65R360DEAqui estão as especificações e detalhes para o MOSFET OSG65R360DE / OSG65R360DEF da Oriental Semiconductor, juntamente com notas de utilização. Se desejar, também posso encontrar equivalentes ou substitutos.Especificações e Características PrincipaisA partir da ficha técnica e listas de produtos:Parâmetro ValorDispositivo MOSFET de potência N‑canalTensão Dreno‑Fonte, V<sub>DS</sub> 650 VCorrente de Dreno Contínua (em determinadas condições) 12 A (não tenho certeza das condições exatas de teste)Resistência em Condução, R<sub>DS(on)</sub> 360 mΩ a V<sub>GS</sub> = 10 V, com uma corrente de teste ~ 3 A (parece uma especificação de “360 mΩ @10V, 3A”)Tensão de Limiar do Gate, V<sub>GS(th)</sub> aproximadamente 3.9 VPacote TO‑252 (também chamado de D‑PAK / montagem em superfície)

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