MDF11N65B TRANSISTOR

Descrição

O MDF11N65 (mais precisamente MDF11N65B) é um MOSFET canal N de potência fabricado pela MagnaChip.
📋 Especificações principais
Tensão drenador‑fonte (V_DS / V_DSS): 650 V
Corrente de dreno contínua (I_D): 12 A (sob condições especificadas)
Resistência em condução (R_DS(on)): até 0,65 Ω (em V_GS = 10 V)
Pacote / encapsulamento: TO‑220 (ou variantes “F”)
Potência máxima dissipada (P_D): cerca de 49,6 W (em condições ideais)
Tensão máxima porta‑fonte (V_GS): ±30 V
Faixa de temperatura de operação: –55 °C até +150 °C (junção)
Outras características: energia de avalanche simples (E_as) e outras proteções típicas para MOSFETs de alta tensão.

🛠 Aplicações típicas Esse tipo de MOSFET é usado em circuitos de: Fontes de alimentação comutada (SMPS) Estágios de chaveamento de alta tensão Circuitos de PFC (correction power factor) Inversores e drivers de motor ⚠ Considerações / limitações A resistência relativamente alta (0,65 Ω) faz com que seja menos eficiente para aplicações de alta corrente — haverá perdas de dissipação de potência consideráveis se for usada perto de seu limite. Ao escolher um substituto ou equivalente, convém que o novo MOSFET tenha tensão V_DS ≥ 650 V, resistência R_DS(on) menor e capacidade de corrente e dissipação de potência igual ou superior. O encapsulamento (TO‑220) permite uso de dissipador adequado para garantir que o MOSFET não sofra superaquecimento.