IRGP4086 TRANSISTOR

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📄 Especificações / Datasheet
O IRGP4086 (ou IRGP4086PBF) é um IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) projetado para aplicações de plasma display (PDP), com encapsulamento TO‑247AC.

Uso típico e características marcantes
Projetado para combinações exigentes de tensão e corrente, com boa capacidade de comutação rápida (útil em aplicações de exibição ou circuitos de potência).Pode suportar picos de corrente elevados devido à robustez de projeto. O encapsulamento TO‑247AC permite boa dissipação de calor via dissipador.

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Descrição

📄 Especificações / Datasheet
O IRGP4086 (ou IRGP4086PBF) é um IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) projetado para aplicações de plasma display (PDP), com encapsulamento TO‑247AC.
Tensão máxima de coletor‑emissor (V_CE) = 300 V
Corrente contínua de coletor: 70 A (em condições especificadas)
Dissipação de potência máxima (P_D) = 160 W (na condição de case a 25 °C)
Tensão saturação coletor‑emissor típica (V_CE(on)) = ~ 1,90 V (em 70 A)
Temperatura de junção máxima (T_J) = 150 °C
Resistência térmica junção‑para‑case (R_θJC) típica = 0,8 °C/W

✅ Uso típico e características marcantes
Projetado para combinações exigentes de tensão e corrente, com boa capacidade de comutação rápida (útil em aplicações de exibição ou circuitos de potência).Pode suportar picos de corrente elevados devido à robustez de projeto. O encapsulamento TO‑247AC permite boa dissipação de calor via dissipador.

Informação adicional

Peso0.1 g