IRFR24N15D TRANSISTOR

5.78 

IRFR24N15D: Visão Geral do MOSFET de Potência N-ChannelO IRFR24N15D é um MOSFET N-channel de alto desempenho originalmente da International Rectifier, agora sob a marca Infineon. É construído usando a tecnologia HEXFET® e é projetado para robusta performance de potência e térmica.

REF: 42054 Categorias: ,

Descrição

IRFR24N15D: Visão Geral do MOSFET de Potência N-ChannelO IRFR24N15D é um MOSFET N-channel de alto desempenho originalmente da International Rectifier, agora sob a marca Infineon. É construído usando a tecnologia HEXFET® e é projetado para robusta performance de potência e térmica.Especificações Chave:Tensão Drenador-Fonte (V<sub>DS</sub>): 150 VCorrente Contínua de Drenagem (I<sub>D</sub>): 24 A (a uma temperatura do caso, T<sub>C</sub>)Resistência em Estado Ligado (R<sub>DS(on)</sub>): ≤ 95 mΩ @ V<sub>GS</sub> = 10 VCarga Total do Gate (Q<sub>G</sub>): Típica ~30 nC @ 10 VDissipação Máxima de Potência (P<sub>tot</sub>): 140 W (caso)Temperatura de Operação do Junção: –55 °C a +175 °CPacote: D-PAK / TO-252 montagem em superfícieLimite de Interrupção Gate-Fonte (V<sub>GS(th)</sub>): Cerca de 4 V (faixa: 3–5 V)Comparação de Especificações do Mundo Real: Valor P<sub>DS</sub> 150 V I<sub>D</sub> 24 A (caso) R<sub>DS(on)</sub> ≤ 95 mΩ @ 10 V Q<sub>G</sub> ~30 nC @ 10 V Dissipação de Potência 140 W (Tc) Faixa de Temperatura de Operação –55 °C a +175 °C Pacote D-PAK  TO‑252 Características e Aplicações Notáveis Design sólido e robusto: A estrutura de células plana melhora a fiabilidade Otimizado para comutação de frequência moderada (<100 kHz) – ideal para aplicações como fontes de alimentação comutadas (SMPS), controlo de motores, conversores DC–DC e interruptores de carga.  O formato padrão da indústria suporta substituições fáceis e uma rápida adoção do design.