CS220N04 TRANSISTOR

Descrição

O CS220N04 (CS220N04A8H) é um MOSFET de potência N‑channel (enhancement mode) da Huajing Microelectronics.
📊 Principais características elétricas
Parâmetro Valor / Condição Observações
Tensão Dreno‑Fonte (Vₙₛₛ, V_DS) 40 V Máxima tensão entre dreno e fonte (V_GS = 0)
Corrente contínua de dreno (I_D) 220 A Na condição de junção a 25 °C (com dissipação térmica adequada)
Potência de dissipação (P_D) 333 W Com junção a 25 °C
Resistência de condução (R_DS(on) típica) ~ 3,2 mΩ V
Carga de gate (Q_G) ~ 138 nC Relacionado à capacitância de entrada e ao tempo de comutação
Tensão Gate‑Fonte máxima (V_GS) ± 20 V Limite permitido para não danificar a junção de gate   Energia de avalanche de pulso único (E_AS) ~ 1400 mJ Capacidade de suportar evento de avalanche em pulso único Scribd +1 Faixa de temperatura de junção –55 °C até +175 °C Máxima temperatura de funcionamento ou armazenamento
🔍 Interpretação e aplicações práticas Por ter V_DS = 40 V e corrente alta, esse MOSFET é indicado para aplicações de potência média, como inversores, drivers de motor, conversores DC‑DC, etc. A baixa resistência de condução (3,2 mΩ típica) significa que as perdas por condução serão relativamente pequenas quando ele estiver saturado (bem ativado). A carga de gate relativamente alta (138 nC) implica que é necessário um driver de gate capaz de fornecer corrente para carregar e descarregar essa capacitância com rapidez, especialmente em aplicações de comutação rápida. A capacidade de avalanche indica que ele pode suportar picos de tensão relacionados a indutâncias, mas isso deve ser bem dimensionado no projeto (uso de snubbers, diodos, etc.). Lembre-se de que para realmente atingir os valores máximos de corrente e potência, é necessário bom gerenciamento térmico (dissipador adequado, contato térmico, controle de temperatura ambiente