Descrição
Características principais do BUK7626-100B
| Parâmetro | Especificação |
|---|---|
| Tipo de dispositivo | MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) |
| Canal | N (canal N) |
| Tensão máxima de drenagem (Vds) | 100 V (tensão máxima entre o dreno e a fonte) |
| Corrente máxima de drenagem (Id) | 150 A (corrente máxima de dreno a 25°C) |
| Ressistência Rds(on) | 0,007 Ω (resistência de condução quando o MOSFET está ligado, indica quão eficiente é a comutação) |
| Tensão de gate (Vgs) | ±20 V |
| Capacitância de entrada (Ciss) | 4200 pF (capacitância entre o gate e o dreno) |
| Potência dissipada (Pd) | 250 W (potência máxima que pode ser dissipada pelo MOSFET) |
| Temperatura de operação | -55 °C a +150 °C (faixa de temperatura para operação segura) |
| Pacote | TO-220 (pacote típico para dissipação de calor eficiente) |
Aplicações típicas do BUK7626-100B:
Fontes de Alimentação (SMPS):
Usado em fontes de alimentação comutadas de alta eficiência devido à sua capacidade de comutação rápida e baixa resistência.
Sistemas de Energia:
Controle de motor em sistemas de veículos elétricos, carregadores e sistemas de alimentação de energia.
Conversores DC-DC:
Utilizado em conversores de tensão DC-DC, especialmente em conversores de alta corrente e alta eficiência.
Automação e controle industrial:
Controle de potência e comutação de alta corrente em sistemas industriais e automação.
Transmissores de RF de alta potência:
Em sistemas de transmissão de rádio frequência (RF), onde é necessário controlar sinais de alta potência com eficiência.
Vantagens do BUK7626-100B:
Alta capacidade de corrente (150 A):
O BUK7626-100B é capaz de manusear correntes muito altas, tornando-o adequado para aplicações de potência elevada, onde a comutação de corrente precisa ser eficiente e sem aquecimento excessivo.
Baixa resistência de condução (Rds(on) = 0,007 Ω):
Isso garante uma menor dissipação de energia durante a condução, ajudando a manter a eficiência do sistema e minimizando o aquecimento.
Alta tensão de drenagem (100 V):
O MOSFET pode operar com tensões relativamente altas entre o dreno e a fonte, o que é útil para aplicações de alta voltagem.
Baixa capacitância de entrada (Ciss = 4200 pF):
A baixa capacitância de entrada permite uma comutação rápida, sendo útil em sistemas de alta frequência e aplicações de switching rápido.
Pacote TO-220:
O pacote TO-220 oferece uma boa capacidade de dissipação de calor, permitindo que o MOSFET trabalhe em altas correntes sem sobreaquecimento.
Considerações Importantes ao Usar o BUK7626-100B:
Controle de Temperatura:
Embora o BUK7626-100B tenha um pacote que oferece boa dissipação de calor, é essencial garantir um sistema de resfriamento adequado (como dissipadores de calor) para garantir a longevidade e confiabilidade do dispositivo em altas correntes.
Proteção de Gate:
Como a tensão de gate (Vgs) não deve exceder ±20V, é importante usar proteções adequadas para evitar danos ao gate. Em sistemas de comutação rápida, pode ser necessário incluir um resistor de proteção ou diodo de proteção entre o gate e a fonte.
Capacitor de desacoplamento:
Para garantir que o MOSFET comute eficientemente, especialmente em circuitos de alta frequência, pode ser necessário utilizar capacitores de desacoplamento perto do gate para controlar a transição de comutação.
Limitações de Corrente e Tensão:
Embora o BUK7626-100B possa suportar até 150 A, é essencial garantir que a tensão não exceda os 100 V, e que as condições de operação estejam dentro dos parâmetros especificados para evitar falhas no dispositivo.
Resumo rápido do BUK7626-100B:
| Parâmetro | Valor |
|---|---|
| Tipo | MOSFET de canal N |
| Tensão máxima (Vds) | 100 V |
| Corrente máxima (Id) | 150 A |
| Resistência Rds(on) | 0,007 Ω |
| Potência dissipada | 250 W |
| Capacitância de entrada (Ciss) | 4200 pF |
| Temperatura de operação | -55°C a +150°C |
| Pacote | TO-220 |
