70S900P7-0

70S900P7 TRANSISTOR

6.96 €

IPD70R900P7S 70S900P7 Tipo de Transistor: MOSFET Tipo de Canal de Controle: Canal N Dissipação Máxima de Potência Pd: 30,5 W |Vds| Tensão Máxima Dreno-Fonte: 700 V |Vgs| Tensão Máxima Porta-Fonte: 16 V |Vgs(th)| Tensão Máxima Porta-Limite: 3,5 V |Id| Corrente Máxima de Dreno: 6 A Tj Temperatura Máxima da Junção: 150 °C Qg Carga Total da Porta: 6,8 nC tr Tempo de Subida: 4,7 nS Coss Capacitância de Saída: 5 pF Rds Resistência Máxima Dreno-Fonte no Estado Ligado: 0,9 Ohm Encapsulamento: TO252

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Descrição

IPD70R900P7S 70S900P7 Tipo de Transistor: MOSFET Tipo de Canal de Controle: Canal N Dissipação Máxima de Potência Pd: 30,5 W |Vds| Tensão Máxima Dreno-Fonte: 700 V |Vgs| Tensão Máxima Porta-Fonte: 16 V |Vgs(th)| Tensão Máxima Porta-Limite: 3,5 V |Id| Corrente Máxima de Dreno: 6 A Tj Temperatura Máxima da Junção: 150 °C Qg Carga Total da Porta: 6,8 nC tr Tempo de Subida: 4,7 nS Coss Capacitância de Saída: 5 pF Rds Resistência Máxima Dreno-Fonte no Estado Ligado: 0,9 Ohm Encapsulamento: TO252

Informação adicional

Peso0.6 g

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