Descrição
O MMD70R600PRH (ou “MMD70R600”) é um MOSFET de canal N de potência fabricado pela MagnaChip, com as seguintes características (resumo técnico):
📋 Características principais
Tipo: MOSFET N‑channel de potência (uso geral, chaveamento)
Tecnologia: Super Junction — para reduzir resistência de condução e melhorar eficiência em tensão alta
Tensão drenador-fonte (V_DSS): 700 V
Corrente de dreno contínua (Id): cerca de 7,3 A sob condições especificadas
Resistência em condução (R_DS(on)): 0,6 Ω (600 mΩ) medida com V_GS = 10 V (ou condição similar)Carga de porta típica (Qg): 23 nC (na condição de V_GS = 10V)
Capacitância de dreno‑fonte (C_D, capacitância reversa): ~ 681 pF (25 V)
Dissipação de potência máxima (P_D): ~ 71 W (em condições ideais de resfriamento)
Faixa de temperatura de operação: de –55 °C até +150 °C (junção) Encapsulamento / pacote: TO‑252 / DPAK de 3 pinos (com aba / tab)
Tensão de porta (máx): ±30 V 🛠 Aplicações típicas Esse tipo de MOSFET é usado onde se necessita chaveamento de tensão alta (ex: em conversores flyback, PFC, inversores, fontes SMPS) onde tolerância a tensão elevada e eficiência são importantes.
