Descrição
Especificações principais
2SK134
Fabricante: Hitachi Semiconductor (agora parte da Renesas Electronics).
Tipo: MOSFET de canal N, “low-frequency power amplifier” (destacado para utilização em áudio).
Tensões e correntes aproximadas:
V_DSS (drain-source breakdown) ≈ 140 V.
I_D (corrente de drenagem) ≈ 7 A (em condições nominais) para este tipo.
Potência de dissipação: P_ch ≈ 100 W.
Pacote / montagem: geralmente pacote TO-3 (ou equivalente de montagem robusta) para utilização como amplificador de potência.
Observações: É referido frequentemente como par complementar junto com o 2SJ49.
2SJ49
Fabricante: Hitachi Semiconductor.
Tipo: MOSFET de canal P, “low-frequency power amplifier” também.
Tensões e correntes aproximadas:
V_DSS (drenagem-fonte) negativo (como P-canal) ≈ 140 V ou similar
Corrente (Id) e potência de dissipação variam conforme aplicação, mas para amplificador de potência são níveis similares aos da contraparte N-canal.
Pacote: também robusto, compatível com montagem de potência (ex: TO-3 ou similar).
Complementaridade: frequentemente usado como par juntamente com o 2SK134 para etapas de saída em amplificadores.
Aplicações & notas práticas
Estes dispositivos são clássicos em amplificadores de áudio de potência vintage ou designs “discretos” de saída. Por exemplo, fóruns de áudio referem-nos como “difíceis de arranjar” e valorizados por entusiastas.
Se estiveres a recuperar ou projetar um amplificador que originalmente usava estes MOSFETs, verifica especialmente o layout térmico, a dissipação de calor, o “biasing” (corrente de repouso) e o esquema de par de saída (quantos pares em paralelo, etc.).
Como são peças antigas, a substituição por equivalentes modernos pode exigir adaptar resistores de fonte, compensação térmica ou até adaptar o desenho de saída para manter estabilidade.
