Descrição
Transistor NPN epitaxial de tipo planarPara amplificação de potência de média saída em tipo de baixa tensãoComplementar ao 2SA0900■Características•Baixa tensão de saturação coletor-emissor VCE(sat)•Desempenho satisfatório e alta eficiência com uma fonte de alimentação de baixa tensãoCAIXATO-126B que incorpora uma construção única que permite a instalação no dissipador de calor sem usar partes isolantes■Classificações Máximas Absolutas Ta = 25°C■Características Elétricas Ta = 25°C ± 3°CUnidade: mmNota) 1. Os métodos de medição são baseados nos MÉTODOS DE MEDIÇÃO DO PADRÃO INDUSTRIAL JAPONÊS JIS C 7030 para transistores.2.*: Classificação de classificaçãoParâmetro Símbolo Condições Mín. Típ. Máx. UnidadeTensão coletor-base (Emissor aberto) VCBO IC = 10 µA, IE = 0 18 VTensão coletor-emissor (Base aberta) VCEO IC = 1 mA, IB = 0 18 VTensão emissor-base (Coletor aberto) VEBO IE = 10 µA, IC = 0 5 VCorrente de corte coletor-base (Emissor aberto) ICBO VCB = 10 V, IE = 0 1 µACorrente de corte coletor-emissor (Base aberta) ICEO VCE = 18 V, I, IB = 0 10 µA Razão de transferência de corrente direta hFE1 * VCE = 2 V, IC = 500 mA 90 280 hFE2 VCE = 2 V, IC = 1.5 A 50 100 Tensão de saturação coletor-emissor VCE(sat) IC = 1 A, IB = 50 mA 0.5 V Tensão de saturação base-emissor VBE(sat) IC = 500 mA, IB = 50 mA 1.2 V Frequência de transição fT VCB = 6 V, IE = −50 mA, f = 200 MHz 150 MHz Capacitância de saída do coletor Cob VCB = 6 V, IE = 0, f = 1 MHz 12 pF (Base comum, entrada em circuito aberto) 1: Emissor 2: Coletor 3: Base Pacote TO-126B-A1 8.0+0.5–0.1 1.9±0.1 3.05±0.1 3.8±0.3 11.0±0.5 16.0±1.0 3.2±0.2 0.75±0.1 0.5±0.1 2.3±0.2 4.6±0.2 0.5±0.1 1.76±0.1 1 2 3 φ 3.16±0.1 Classificação Q R S hFE1 90 a 155 130 a 210 180 a 280 Parâmetro Símbolo Classificação Unidade Tensão coletor-base (Emissor aberto) VCBO 18 V Tensão coletor-emissor (Base aberta) VCEO 18 V Tensão emissor-base (Coletor aberto) VEBO 5 V Corrente do coletor IC 1 A Corrente de pico do coletor ICP 2 A Dissipação de potência do coletor PC 1.2 W Temperatura do junção Tj 150 °C Temperatura de armazenamento Tstg −55 a +150 °C
