IXTQ88N30W-0

IXTQ88N30W TRANSISTOR

12.05 €

Categoria do Produto: MOSFETs Tecnologia: Si Caixa: TO-3P-3 Polaridade do Transistor: Canal N Nº de Canais: 1 Canal Vds – Tensão de Ruptura Dreno-Fonte: 300 V Id – Corrente de drenagem contínua: 88 A Rds On – Resistência Dreno-Fonte: 40 mOhms Vgs – Tensão de Porta-Fonte: – 20 V, + 20 V Vgs th – Tensão Limiar de Porta-Fonte: 5 V Qg – Carga de Porta: 180 nC Temperatura Mínima de Funcionamento: – 55 C Temperatura Máxima de Funcionamento: + 150 C Pd – Dissipação de Potência: 600 W Tempo de Queda: 25 ns Tipo de Produto: MOSFETs Tempo de Subida: 24 ns Série: IXTQ88N30

Disponível por encomenda

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Descrição

Categoria do Produto: MOSFETs Tecnologia: Si Caixa: TO-3P-3 Polaridade do Transistor: Canal N Nº de Canais: 1 Canal Vds – Tensão de Ruptura Dreno-Fonte: 300 V Id – Corrente de drenagem contínua: 88 A Rds On – Resistência Dreno-Fonte: 40 mOhms Vgs – Tensão de Porta-Fonte: – 20 V, + 20 V Vgs th – Tensão Limiar de Porta-Fonte: 5 V Qg – Carga de Porta: 180 nC Temperatura Mínima de Funcionamento: – 55 C Temperatura Máxima de Funcionamento: + 150 C Pd – Dissipação de Potência: 600 W Tempo de Queda: 25 ns Tipo de Produto: MOSFETs Tempo de Subida: 24 ns Série: IXTQ88N30

Informação adicional

Peso0.1 g

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