NCEP02515K SMD TRANSISTOR

2.58 €

Descrição GeralTipo: MOSFET de canal N, utiliza tecnologia Super Trench otimizada para comutação eficiente em alta frequência.Pacote: TO-252-2L

Energia de Avalanche (E<sub>AS</sub>) 80 mJ Energia de avalanche de pulso únicoE

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Descrição

Descrição GeralTipo: MOSFET de canal N, utiliza tecnologia Super Trench otimizada para comutação eficiente em alta frequência.Pacote: TO-252-2L (também conhecido como D-PAK)Especificações ChaveValor da Especificação Condição / NotasTensão Dreno-Fonte (V<sub>DSS</sub>) 250 VCorrente de Dreno Contínua (I<sub>D</sub>) 15 A a 25 °C de temperatura de caixaCorrente contínua derretida (a 100 °C) ~10.6 AResistência em Condução (R<sub>DS(on)</sub>) 200 mΩ a V<sub>GS</sub> = 10 V, I<sub>D</sub> = 15 ADissipação de Potência (P<sub>D</sub>) 140 W a T<sub>case</sub> = 25 °CTensão de Limite do Gate (V<sub>GS(th)</sub>) 3.5 V a I<sub>D</sub> = 250 µACarga Total do Gate (Q<sub>g</sub>) 8.9 nC a V<sub>GS</sub> = 10 VCapacitância de Entrada (C<sub>iss</sub>) 475 pF a V<sub>DS</sub> = 125 VCapacitância de Transferência Reversa (C<sub>rss</sub>) 1.2 pF a V<sub>DS</sub> = 125 VTemperatura de Junção em Operação –55 °C a +175 °Cnergia de Avalanche (E<sub>AS</sub>) 80 mJ Energia de avalanche de pulso únicoE

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