P2904B TRANSISTOR

6.27 €

Aqui está um resumo do MOSFET P2904BD, as suas especificações e o que deve ter em atenção. Se quiser, também posso encontrar alguns equivalentes modernos.

Especificações Principais
Tipo de Dispositivo MOSFET de realce N‑canal, “nível lógico”
Tensão Dreno-Fonte (V<sub>DS</sub>) 40 V
Tensão Gate-Fonte (V<sub>GS</sub>) ±20 V
Corrente Dreno Contínua (em algumas condições classificadas) 25 A
Resistência em Estado Ligado, R<sub>DS(on)</sub> ~ 0.029 Ω (29 mΩ) @ V<sub>GS</sub> = 10 V
Dissipação de Potência (ambiente do invólucro etc.) ~ 30 W (nota: depende fortemente das condições / arrefecimento)
Pacote TO‑252 (um estilo de montagem em superfície, equivalente a algo como DPAK

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Descrição

)Aqui está um resumo do MOSFET P2904BD, as suas especificações e o que deve ter em atenção. Se quiser, também posso encontrar alguns equivalentes modernos.

Especificações Principais
Tipo de Dispositivo MOSFET de realce N‑canal, “nível lógico”
Tensão Dreno-Fonte (V<sub>DS</sub>) 40 V
Tensão Gate-Fonte (V<sub>GS</sub>) ±20 V
Corrente Dreno Contínua (em algumas condições classificadas) 25 A
Resistência em Estado Ligado, R<sub>DS(on)</sub> ~ 0.029 Ω (29 mΩ) @ V<sub>GS</sub> = 10 V
Dissipação de Potência (ambiente do invólucro etc.) ~ 30 W (nota: depende fortemente das condições / arrefecimento)
Pacote TO‑252 (um estilo de montagem em superfície, equivalente a algo como DPAK

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