Descrição
🔌 O que é o MMD60R580P
É um MOSFET de super‑junção, concebido para comutação eficaz em fontes de alimentação e sistemas de potência, oferecendo baixa resistência interna, rápida transição de estado e resistência a picos elevados.
⚙️ Especificações principais (dados resumo)
Tensão dreno‑fonte (V_DSS): até 600 V (algumas versões avalancham até 650 V)
Resistência em condução (R_DS(on)): aproximadamente 0,58 Ω a V_GS = 10 V
Corrente de dreno (I_D): até 8 A a 25 °C (5 A a 100 °C)
Pico de corrente (IDM): cerca de 24 A para pulsos curtos
Dissipação térmica (P_D): cerca de 70 W (TC = 25 °C)
Carga de porta (Qg): entre 13–18 nC, permitindo comutação rápida (~34 ns)
Encapsulamento: D‑PAK / TO‑252, geralmente halogen‑free e com furo para fixar dissipador
🧭 Para que serve este MOSFET?
Recomendado para:
Etapas de PFC (Power Factor Correction)
Fontes comutadas (SMPS)
Conversores DC‑DC e adaptadores
Controlo de motores e aplicações de comutação de potência
Graças ao seu baixo R_DS(on) e carga de porta reduzida, assegura eficiência energética e menor geração de ruído EMI.
