70S360P7 TRANSISTOR

8.93 

IPSA70R360P7S OU 70S360P7 Tipo de Transistor: MOSFET Tipo de Canal de Controle: Canal N Dissipação Máxima de Potência Pd: 59,5 W |Vds| Tensão Máxima Dreno-Fonte: 700 V |Vgs| Tensão Máxima Porta-Fonte: 16 V |Vgs(th)| Tensão Máxima Porta-Limite: 3,5 V |Id| Corrente Máxima de Dreno: 12,5 A Tj Temperatura Máxima da Junção: 150 °C Qg Carga Total da Porta: 16,4 nC tr Tempo de Subida: 8 nS Coss Capacitância de Saída: 11 pF Rds Resistência Máxima Dreno-Fonte no Estado Ligado: 0,36 Ohm Encapsulamento: TO251

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Descrição

IPSA70R360P7S OU 70S360P7 Tipo de Transistor: MOSFET Tipo de Canal de Controle: Canal N Dissipação Máxima de Potência Pd: 59,5 W |Vds| Tensão Máxima Dreno-Fonte: 700 V |Vgs| Tensão Máxima Porta-Fonte: 16 V |Vgs(th)| Tensão Máxima Porta-Limite: 3,5 V |Id| Corrente Máxima de Dreno: 12,5 A Tj Temperatura Máxima da Junção: 150 °C Qg Carga Total da Porta: 16,4 nC tr Tempo de Subida: 8 nS Coss Capacitância de Saída: 11 pF Rds Resistência Máxima Dreno-Fonte no Estado Ligado: 0,36 Ohm Encapsulamento: TO251

Informação adicional

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