FQB55N10-0

FQB55N10 TRANSISTOR

8.02 €

FQB55N10 Tipo de Transistor: MOSFET Tipo de Canal de Controle: Canal N Dissipação Máxima de Potência Pd: 155 W |Vds| Tensão Máxima Dreno-Fonte: 100 V |Vgs| Tensão Máxima Porta-Fonte: 25 V |Vgs(th)| Tensão Máxima Porta-Limite: 4 V |Id| Corrente Máxima de Dreno: 55 A Tj Temperatura Máxima da Junção: 175 °C Qg Carga Total da Porta: 75 nC Rds- Resistência Máxima Dreno-Fonte no Estado Ligado: 0,026 Ohm Encapsulamento: TO263 D2PAK

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Descrição

FQB55N10 Tipo de Transistor: MOSFET Tipo de Canal de Controle: Canal N Dissipação Máxima de Potência Pd: 155 W |Vds| Tensão Máxima Dreno-Fonte: 100 V |Vgs| Tensão Máxima Porta-Fonte: 25 V |Vgs(th)| Tensão Máxima Porta-Limite: 4 V |Id| Corrente Máxima de Dreno: 55 A Tj Temperatura Máxima da Junção: 175 °C Qg Carga Total da Porta: 75 nC Rds- Resistência Máxima Dreno-Fonte no Estado Ligado: 0,026 Ohm Encapsulamento: TO263 D2PAK

Informação adicional

Peso0.6 g

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