Descrição
IRFBC30 — MOSFET de potência
Tipo: MOSFET de canal N.
Fabricante: Vishay Siliconix.
Aplicação: fontes de alimentação comutadas, televisores, conversores e circuitos de alta tensão.
Características técnicas
Parâmetro Valor
Tensão máxima dreno-fonte 600 V
Corrente contínua máxima 3,6 A
Resistência em condução (RDS(on)) 2,2 Ω
Potência máxima de dissipação 74 W
Tensão máxima gate-fonte ±20 V
Encapsulamento TO-220AB
Equivalentes possíveis
– IRFBC30PbF — versão sem chumbo da mesma referência.
– FQP6N60C — possível alternativa, a confirmar pelas características de comutação.
– STP4NK60Z — alternativa a avaliar conforme o circuito
