Descrição
Material do Transistor: SiPolaridade: NPNDissipação Máxima de Potência no Coletor (Pc): 3.6 WTensão Máxima Coletor-Base |Vcb|: 80 VTensão Máxima Coletor-Emissor |Vce|: 60 VTensão Máxima Emissor-Base |Veb|: 5 VCorrente Máxima do Coletor |Ic max|: 1 ATemp. Máxima de junção em operação (Tj): 150 °CFrequência de Transição (ft): 100 MHzRelação de Transferência de Corrente Direta (hFE), MÍN: 4000Figura de Ruído, dB: -Pacote: TO202




