BD508 TRANSISTOR
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BD508 Material do Transistor: SiPolaridade: PNPDissipação Máxima de Potência no Coletor (Pc): 10 WTensão Máxima Coletor-Base |Vcb|: 40 VTensão Máxima Coletor-Emissor |Vce|: 30 VTensão Máxima Emissor-Base |Veb|: 5 VCorrente Máxima do Coletor |Ic max|: 2 ATemp. Máxima de Junção em Operação (Tj): 150 °CFrequência de Transição (ft): 50 MHzRazão de Transferência de Corrente Direta (hFE), MÍN: 40Figura de Ruído, dB: -caixaTO202
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