TIP31C TRANSISTOR

Transistores bipolares de junção – BJT
Tecnologia: Si
Transistores bipolares de junção – BJT
Tecnologia: Si
Caixa TO-220-3
Polaridade do transistor: NPN
Configuração: Single
Corrente do coletor DC máxima: 3 A
Coletor – VCEO máx. de voltagem do emissor: 100 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 100 V
Emissor – VEBO de tensão de base: 5 V
Tensão de saturação do coletor – emissor: 1.2 V
Pd – Dissipação de potência: 40 W
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Série: TIP31C
Embalagem: Tube
Marca: STMicroelectronics
Tensão do coletor contínua: 3 A
Altura: 9.15 mm
Comprimento: 10.4 mm
Tipo de Produto: BJTs – Bipolar Transistors
Coletor VCBO de voltagem básica: 100 V
Emissor – VEBO de tensão de base: 5 V
Tensão de saturação do coletor – emissor: 1.2 V
Pd – Dissipação de potência: 40 W
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Série: TIP31C
Embalagem: Tube
Marca: STMicroelectronics
Tensão do coletor contínua: 3 A
Altura: 9.15 mm
Comprimento: 10.4 mm
Tipo de Produto: BJTs – Bipolar Transistors