Descrição
Transistores bipolares de junção – BJT
REACH – SVHC:
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Through Hole
CaixaTO-220-3
Polaridade do transistor: PNP
Configuração: Single
Corrente do coletor DC máxima: 1 A
Coletor – VCEO máx. de voltagem do emissor: 100 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 100 V
Emissor – VEBO de tensão de base: 5 V
Tensão de saturação do coletor – emissor: 700 mV
Pd – Dissipação de potência: 2 W
Produto fT da largura de banda de ganho: 3 MHz
Temperatura operacional mínima: – 65 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Série: TIP30C
Embalagem: Tube
Marca: onsemi
Tensão do coletor contínua: 1 A
Coletor DC/Ganho base hfe Min: 40
Altura: 15.75 mm
Comprimento: 10.53 mm
Tipo de Produto: BJTs – Bipolar Transistors
