Descrição
FGH30S130 TRANSISTO
FGH30S130P é um transistor de potência do tipo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), fabricado originalmente pela onsemi / Fairchild.
É usado em aplicações de alta potência e alta tensão, como:
aquecimento por indução,
inversores,
fornos micro-ondas industriais,
fontes SMPS,
soldadura eletrónica.
Especificações principais
Tipo: IGBT N-Channel
Tensão Collector-Emitter: 1300 V
Corrente: 30 A
Encapsulamento: TO-247
Potência dissipada: até 250–500 W
Com díodo rápido integrado (“shorted-anode”)
Pinagem (TO-247)
