STW26NM60 TRANSISTOR

Descrição

📄 Dados principais / Especificações
É um MOSFET canal N da STMicroelectronics, da família MDmesh™.
Tensão drenador‑fonte nominal (V_DS) = 600 V
Resistência em condução (R_DS(on)) típica = ~ 0,125 Ω (a 13 A, V_GS = 10 V)
Corrente contínua (em temperatura de junção favorável) ~ 30 A (dependendo do dissipador / condição térmica)
Enclausuramento / encapsulamento: TO‑247‑3 (3 terminais + aba para dissipação)
Status no mercado: classificado como obsoleto (“obsolete, no longer manufactured”) pela
Substitutos sugeridos: por exemplo IPW60R099CPAFKSA1 da Infineon aparece como alternativa
✅ Pontos fortes e características
Inclui proteção com zener interno entre porta e fonte (para tolerar transientes)
Boa capacidade de avalanche (resistência a sobretensões transitórias) para aplicações de chaveamento de alta tensão. Capacitâncias de entrada (“C_iss”) relativamente moderadas: ~ 2 900 pF (à V_DS = 25 V) DigiKey Carga de porta total (Q_g) ≈ 102 nC (em V_GS = 10 V)

⚠ Limitações / cuidados Por estar obsoleto, pode ser difícil encontrar unidades novas, e os estoques existentes podem não garantir originalidade. O R_DS(on) não é dos menores para MOSFETs modernos de 600 V — se o design exigir alta eficiência, talvez um MOSFET moderno com menor resistência seria mais adequado. Verifique o derating térmico: a potência dissipada e a capacidade de corrente dependem muito do sistema de dissipação (dissipador, cobre, ventilação