ME15N10-G-0

ME15N10-G TRANSISTOR

5.17 €

ME15N10G Tipo de Transistor: MOSFET Tipo de Canal de Controlo: Canal N Dissipação Máxima de Potência Pd: 34,7 W |Vds| Tensão Máxima Dreno-Fonte: 100 V |Vgs| Tensão Máxima Porta-Fonte: 20 V |Vgs(th)| Tensão Máxima Porta-Limite: 3 V |Id| Corrente Máxima de Dreno: 14,7 A Tj Temperatura Máxima da Junção: 150 °C Qg Carga Total da Porta: 24 nC tr Tempo de Subida: 33 nS Coss Capacitância de Saída: 58 pF Rds Resistência Máxima Dreno-Fonte no Estado Ligado: 0,1 Ohm Encapsulamento: TO252

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Descrição

ME15N10G Tipo de Transistor: MOSFET Tipo de Canal de Controlo: Canal N Dissipação Máxima de Potência Pd: 34,7 W |Vds| Tensão Máxima Dreno-Fonte: 100 V |Vgs| Tensão Máxima Porta-Fonte: 20 V |Vgs(th)| Tensão Máxima Porta-Limite: 3 V |Id| Corrente Máxima de Dreno: 14,7 A Tj Temperatura Máxima da Junção: 150 °C Qg Carga Total da Porta: 24 nC tr Tempo de Subida: 33 nS Coss Capacitância de Saída: 58 pF Rds Resistência Máxima Dreno-Fonte no Estado Ligado: 0,1 Ohm Encapsulamento: TO252

Informação adicional

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